삼성전자, 10나노급 2세대 8Gb DDR4 - 반도체 미세화 관련주

삼성전자가 주력 상품인 D램에서 또 한 번 세대교체를 이뤄내며 생산성을 30% 높였다. 

경쟁자들이 도저히 따라오기 힘든 기술격차를 유지하는 삼성전자의 ‘초격차 전략’이 더욱 힘을 받을 것으로 보인다. 

세계 최초로 10나노급 2세대(1y나노) D램인

 10나노급 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4)’를 양산하고 있다.

1나노(나노미터·nm)는 10억분의 1m로, 10나노급이라는 것은 회로의 굵기(선폭)가 10나노대라는 것을 뜻한다. 

일반적으로 회로의 굵기가 가늘수록 반도체의 주재료인 웨이퍼에 

새길 수 있는 칩의 수가 많아져 생산성이 높아진다. 

같은 공정으로 더 많은 제품을 만들 수 있어 가격 경쟁력이 높아지기 때문이다. 

삼성전자는 “1세대 제품에 비해 생산성이 30% 높아졌다”고 설명했다. 

이번 D램 제품은 초고속·초절전·초소형 회로 설계가 적용됐다. 

기존 1세대 제품에 비해 속도는 10% 이상 빨라지고 소비 전력량은 15% 이상 절감됐다. 

삼성이 2012년 양산한 20나노급 4Gb DDR3와 비교하면 용량과 속도, 소비전력효율이 2배 향상됐다. 

이번 제품 개발로 삼성은 경쟁자들이 도저히 따라잡기 힘들 정도로 

기술격차를 벌리는 ‘초격차 전략’을 유지할 수 있게 됐다. 

현재 세계에서 D램을 만드는 업체 중 

점유율이 3% 이상인 곳은 삼성전자(45.8%)와 SK하이닉스(28.7%), 미국 마이크론(21.0%)뿐이다. 

SK하이닉스는 지난달에야 10나노급 벽을 돌파했고, 마이크론은 아직 20나노급에 머무는 것으로 알려졌다. 

‘반도체 슈퍼사이클(초장기 호황)’이 조만간 끝날 수도 있다는 전망이 등장하는 상황에서 

새 기술 개발은 시장 상황이 변해도 계속 압도적 1위를 지켜낼 무기가 될 수 있다. 

인공지능(AI)과 빅데이터 등 4차 산업혁명 관련 기술이 고도화할수록 연산과 데이터를 처리하기 위해 최고 사양의 제품을 우선적으로 쓸 수밖에 없기 때문이다.

 

삼성은 현재 10나노급 2세대 D램의 경우 PC용 제품만 양산하고 있지만 조만간 서버, 모바일, 그래픽용 등 다양한 제품을 내놓고 전면 10나노급 D램 양산체제에 돌입할 방침

반도체 원가절감, 성능향상을 위해 반도체 제조업체의 미세화 기술은 꾸준히 발전할 전망

미세화 핵심 공정은 '증착', '식각', '패키지'로 해당 공정에 속해 업체들 수혜 전망.

파크시스템스

나노 계측장비인 원자현미경 제조사로, 반도체 미세화 공정에서 사용.

엑시콘

반도체 장비 전문업체로, 반도체와 SSD 검사 장비가 주력.

테스

증착 장비 전문 업체로 PE-CVD ACL 및 ARC 제조. D램, 3D 낸드 미세화 관련.

주성엔지니어링

증착 장비 전문 업체로 ALD, CVD 등의 제품군 보유. D램, 3D 낸드, 비메모리 미세화 관련.

유진테크

증착 장비 전문 업체로 ALD, SEG 등의 제품군 보유. D램, 비메모리 미세화 관련.

원익홀딩스

증착 장비 전문 업체로 PE-CVD, ALD 등의 제품 생산. D램, 3D 낸드, 비메모리 미세화 관련.

피에스케이

스트립 장비 전문 업체. D램 공정에 적용할 수 있는 드라이 클리닝, 비메모리 공정용 에치백 장비 제조.

케이씨

연마 장비 전문 업체. D램, 3D 낸드, 비메모리 공정에 적용할 수 있는 CMP(화학적 기계 연마) 장비 제조.